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2507法兰,以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件
发布时间: 2023-8-28 13:28:59
继第二代半导体材料——化合物半导体材料之后,第三代半导体材料已走入人们视野。第三代半导体材料是指氮化镓、碳化硅等带隙宽度明显大于硅和砷化镓的宽禁带半导体材料,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的关键核心器件。第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点,也是国外对中国技术封锁的重点领域。如今全球资本正处于产业爆发前的“抢跑”阶段,中国在市场和应用领域有战略优势,正在形成完善的产业链条,国际巨头还未形成专利、标准和规模的完全垄断,有机会实现核心技术突破和产业战略引领,重塑全球半导体产业格局。