2507法兰，以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件

       继第二代半导体材料——化合物半导体材料之后，第三代半导体材料已走入人们视野。第三代半导体材料是指氮化镓、碳化硅等带隙宽度明显大于硅和砷化镓的宽禁带半导体材料，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的关键核心器件。第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点，也是国外对中国技术封锁的重点领域。如今全球资本正处于产业爆发前的“抢跑”阶段，中国在市场和应用领域有战略优势，正在形成完善的产业链条，国际巨头还未形成专利、标准和规模的完全垄断，有机会实现核心技术突破和产业战略引领，重塑全球半导体产业格局。